具有纵向电容器结构的电光调制器

摘要

光学调制器可以包括最左侧的波导、最右侧的波导、以及它们之间的介电层。在一个实施例中，波导可以位于相同的平面上。当电压电势在最右侧的波导和最左侧的波导之间被创建时，这些层形成提供对通过调制器的光信号进行有效高速光调制的硅‑绝缘体‑硅电容器(也被称为SISCAP)结构。与介电层位于上层波导和下层波导之间的水平SISCAP结构不同，将介电层布置在位于相同平面上的波导之间致使产生纵向SISCAP结构。在一个实施例中，最左侧的波导和最右侧的波导都由晶体硅制成。

主权项

一种用于形成光学设备的方法，该方法包括：蚀刻位于绝缘体上的晶体硅衬底以形成右晶体硅波导和左晶体硅波导，其中，右波导和左波导分别具有接触所述绝缘体的下表面；以及在形成所述右波导和所述左波导之后，在所述右波导和所述左波导之间的纵向间隙中沉积介电材料，其中，所述左波导被掺杂第一导电类型而所述右波导被掺杂第二、不同的导电类型。