半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有第一导电层，第一导电层表面具有牺牲层，牺牲层表面具有掩膜层，掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以掩膜层为掩膜，刻蚀牺牲层，直至暴露出第一导电层为止，在牺牲层内形成第一开口和第二开口；在掩膜层表面、第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成导电膜；在导电膜表面形成填充满第一开口和第二开口的介质层；在形成介质层之后，去除掩膜层表面的部分导电膜，以图形化导电膜，在第一开口内形成第一插塞，在第二开口内形成第二插塞，在掩膜层表面形成第二导电层，第二插塞与第二导电层电学断路，第二导电层与第一插塞电连接。所形成的半导体器件性能稳定良好。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一导电层，所述第一导电层表面具有牺牲层，所述牺牲层表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述牺牲层，直至暴露出第一导电层为止，在牺牲层内形成第一开口和第二开口；在所述掩膜层表面、第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成导电膜；在所述导电膜表面形成填充满第一开口和第二开口的介质层；在形成介质层之后，去除掩膜层表面的部分导电膜，以图形化所述导电膜，在第一开口内形成第一插塞，在第二开口内形成第二插塞，在掩膜层表面形成第二导电层，所述第二插塞与第二导电层电学断路，所述第二导电层与第一插塞电连接。