| 发明名称 | 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构。其结构自下而上依次为镓砷锑层和砷化铟层。与传统的II类超晶格结构相比，其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的提高有利于表面原子扩散长度的增加，因此更有利于材料的二维生长和材料缺陷密度的降低；(2)原有的四层结构生长模式(InAs/InSb/GaSb/InSb)被两层结构生长模式(InAs/GaAsSb)替代，结构更加简单,更有利于实现高质量超晶格的生长；(3)砷化铟层厚度的变化对InAs基II类超晶格的失配影响较小，极大地降低了长波、尤其是甚长波材料的生长难度，更易于提高材料的性能和质量。 | ||
| 申请公布号 | CN205542814U | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201620028541.X | 申请日期 | 2016.01.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 王芳芳;陈建新;徐志成;周易 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构，其结构自下而上依次为镓砷锑层(1)和砷化铟层(2)，其特征在于：所述的镓砷锑层(1)的厚度为2.1nm‑3.6nm；所述的砷化铟层(2)的厚度为2.1nm‑10.5nm。 | ||
| 地址 | 200083 上海市虹口区玉田路500号 | ||