| 摘要 |
본 발명은 공정 챔버와 반도체 처리 장치를 제공한다. 공정 챔버는 반응 실, 가스 도입 시스템, 및 웨이퍼 이송 장치를 포함할 수 있다. 상기 반응 실은 공정 챔버에 제공되고, 웨이퍼에 대한 공정을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 가스 도입 시스템은 반응 실로 공정 가스를 제공하기 위해 사용되고, 웨이퍼 이송 장치는 반응 실로 웨이퍼를 이송하기 위해 사용될 수 있다. 라이닝 링 조립체는 반응 실에 제공될 수 있고, 가스 도입 시스템에서 공정 가스를 유동 균일화 캐비티를 통해 반응 실로 균일하게 전송하기 위해, 유동 균일화 캐비티가 상기 라이닝 링 조립체 자체와 상기 반응 실의 내측벽 사이에 형성되도록 구성될 수 있다. 본 발명에서 제공된 공정 챔버와 반도체 처리 장치는 공정 가스가 반응 실로 유동하는 속도를 향상시킬 수 있고, 공정과 관련된 공정 가스의 흐름을 제어하는 정확성, 및 반응 실 내의 공정 가스의 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. |
