| 发明名称 | 硅通孔结构 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线、第二导电线和第三导电线，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，第一方向不同于第二方向，且第三导电线在所述硅通孔阵列边角连接第一导电线和第二导电线，使得沿第一方向的应力和第二方向的应力互相抵消。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。 | ||
| 申请公布号 | CN103377990B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210114818.7 | 申请日期 | 2012.04.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐依协 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔结构，其特征在于，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线、第二导电线和第三导电线，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，第一方向不同于第二方向，且第三导电线在所述硅通孔阵列边角连接第一导电线和第二导电线，使得沿第一方向的应力和第二方向的应力互相抵消。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||