| 发明名称 | 鳍式场效应管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一凹槽；在所述第一凹槽内由其侧壁向中心依次间隔形成若干氧化层和若干牺牲层，直至填满所述第一凹槽；去除所述氧化层之间的牺牲层，形成若干第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满功能层，形成间隔排列的若干个鳍部。本发明鳍式场效应管的形成方法能够精确控制鳍式场效应管中鳍部的厚度，提高鳍部表面的均匀性，进而提高了所形成鳍式场效应管的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103811324B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210454797.3 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一凹槽；在所述第一凹槽内由其侧壁向中心依次间隔形成若干氧化层和若干牺牲层，直至填满所述第一凹槽；去除所述氧化层之间的牺牲层，形成若干第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满功能层，形成间隔排列的若干个鳍部。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||