一种将电极图形转移在任意基底上并构建电子器件的方法

摘要

本发明公开了一种将电极图形转移在任意基底上并构建电子器件的方法，本发明通过一种低成本简单易行的方法，通过刻蚀液将电极支撑层薄膜与基底分离并在任意基底上重新构建电子器件，特别是柔性电子器件，适用于各种类型的半导体器件。通过这种方法，基于不耐光刻的有机半导体材料，也能实现器件结构的多样化。本发明将通过成熟的光刻技术得到的电极图形转移到各种基底上，使构筑器件不受基底的限制，特别是对于降低成本具有重要的意义。

主权项

一种将电极图形转移在任意基底上并构建电子器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）衬底的清洗：取一硅片采用清洗液超声清洗，然后吹干备用；2）镀铜：利用磁控溅射的方法在洗净的硅片衬底表面蒸镀一层铜，然后用清洗液对镀铜硅片进行冲洗，去除表面杂质，镀在硅片表面上的铜层厚度为300‑1000 nm；3）制备电极：在洗净的镀铜硅片上通过光刻、显影、沉积金属材料工艺制备出电极；4）电极的转移：采用旋涂的方法在制备有电极的镀铜硅片上涂上一层电极支撑层薄膜并置于加热板或烘箱中加热，所述电极支撑层薄膜固化并附着在所述制备有电极的镀铜硅片的表面，接着将镀铜硅片置于铜刻蚀液中，待铜反应完全后，附带有电极图形的电极支撑层漂浮在刻蚀液表面；接着采用玻璃衬底将所述附带有电极图形的电极支撑层转移至去离子水中使其漂浮在去离子水表面；5）半导体纳米材料的转移：将一维半导体纳米材料通过接触印刷法转移至目标基底上，二维半导体纳米材料采用直接蒸镀的方式沉积至目标基底上；6）器件的构筑：将漂浮在去离子水表面的所述附带有电极图形的电极支撑层转移至带有半导体纳米材料的目标基底上，自然晾干。