发明名称 热电装置及制造法、能量收集系统、传热装置和热敏元件
摘要 本发明提供了一种热电装置及其制造方法、能量收集系统、传热装置和热敏元件。所述热电装置的制造方法包括提供基板以及在所述基板中形成至少一个深沟槽。所述方法进一步包括形成至少一个热电偶,所述热电偶包括两条传导路径,其中第一传导路径包括第一传导材料,第二传导路径包括第二传导材料,使得至少所述第一传导路径嵌在所述基板的深沟槽中。
申请公布号 CN103035834B 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201210376924.2 申请日期 2012.09.29
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 唐纳德·迪布拉
分类号 H01L35/34(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I 主分类号 H01L35/34(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;李静
主权项 一种制造热电装置的方法,所述方法包括:提供基板;在所述基板中形成至少一个深沟槽;以及形成至少一个热电偶,所述热电偶包括两条传导路径,其中,第一传导路径包括第一传导材料,第二传导路径包括第二传导材料,使得至少所述第一传导路径嵌在所述基板的所述深沟槽中,所述第一传导路径和所述第二传导路径通过这两条传导路径的材料结在所述深沟槽的底部处直接电连接,其中除所述材料结之外,这两条传导路径沿着所述深沟槽彼此隔离,并且其中所述材料结包括所述第一传导路径的表面与所述第二传导路径的表面直接接触的界面,其中,执行形成所述热电偶的步骤,以使得所述第一传导路径和所述第二传导路径嵌在所述深沟槽中并使得所述第二传导路径嵌在所述第一传导路径中;其中所述两条传导路径沿所述两条传导路径的长度通过一绝缘层隔离并在位于所述深沟槽的底部处的所述两条传导路径的端部处电连接。
地址 德国瑙伊比贝尔格市