| 发明名称 | 半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法。根据实施例，一种半导体结构，包括：第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；以及金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103426905B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201310181415.9 | 申请日期 | 2013.05.16 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | M.普拉佩特;H-J.舒尔策 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；以及金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分相接触;其中金属层能够包括铝或铝合金，其中当金属层被退火时，具有与第一单晶半导体部分不同的晶格定向的第二单晶半导体部分提供受控的尖状物形成。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||