一种部分SOI超结高压功率半导体器件

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电场屏蔽层设置在P型衬底中，并且上表面与P型体区和靠近源端的N型缓冲区的下表面连接、下表面与埋氧层的上表面连接。本发明的有益效果为，通过改变电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进而提高器件耐压和降低比导通电阻，减小器件面积，降低成本。本发明尤其适用于部分SOI超结高压功率半导体器件。

主权项

一种部分SOI超结高压功率半导体器件，包括P型衬底(1)、埋氧层(3)、N型缓冲区(5)、P型条(6)、N型条(7)、P型体区(8)、P型重掺杂体接触区(9)、N型重掺杂源区(10)、金属源电极(11)、多晶硅栅电极(12)、栅氧化层(13)、金属漏电极(14)和N型重掺杂漏区(15)，所述埋氧层(3)设置在P型衬底(1)中，所述P型体区(8)和N型缓冲区(5)沿横向方向连接并覆盖设置在P型衬底(1)的顶部，所述P型条(6)和N型条(7)沿纵向方向平行连接形成超结结构漂移区，并覆盖设置在N型缓冲区(5)的顶部，同时一端与P型体区(8)沿横向方向连接，所述N型重掺杂漏区(15)沿纵向方向贯穿并嵌入设置在超结结构漂移区另一端的顶部中，所述纵向方向与横向方向位于同一水平面并相互垂直，所述金属漏电极(14)设置在N型重掺杂漏区(15)的上表面，所述P型体区(8)中设置有相互独立的P型重掺杂体接触区(9)和N型重掺杂源区(10)，所述P型重掺杂体接触区(9)和N型重掺杂源区(10)的上表面与设置在P型体区(8)上表面的金属源电极(11)连接，所述栅氧化层(13)设置在N型重掺杂源区(10)和超结结构漂移区之间的P型体区(8)的上表面，所述多晶硅栅电极(12)设置在栅氧化层(13)的上表面，其特征在于，还包括多个N+岛(2)和P型电场屏蔽层(4)，所述多个N+岛(2)均匀嵌入设置在P型衬底(1)中，所述P型电场屏蔽层(4)设置在P型衬底(1)中，并且上表面与P型体区(8)和靠近源端的N型缓冲区(5)的下表面连接、下表面与埋氧层(3)的上表面连接。