一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括永久衬底、外延发光层和背电极，外延发光层中的N‑GaAs欧姆接触层进行图形化处理，在永久衬底的背面设有背电极，在永久衬底的上面、永久衬底通过第一金属键合层和第二金属键合层同外延发光层相连接，在第二金属键合层和外延发光层之间还设有镜面反射层和介质膜层，由透明材料制成的扩展电极包覆整个外延发光层中的粗化层和N‑GaAs欧姆接触层，并同N‑GaAs欧姆接触层上的图形形成电学接触，在扩展电极上设有主电极。本发明具有可以避免电极遮光、增加电流扩展均匀性、提升发光效率、提升电极的可靠性、不易受到破坏、可靠性好、适合大批量生产的优点。

主权项

一种具有透明扩展电极结构的发光二极管，包括永久衬底、外延发光层和背电极，外延发光层包括：P‑GaP电流扩展层、缓冲层、P‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、N‑AlGaInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、粗化层和N‑GaAs欧姆接触层，N‑GaAs欧姆接触层进行图形化处理，在永久衬底的背面设有背电极，其特征在于：还包括第一金属键合层、第二金属键合层、镜面反射层、介质膜层、主电极和由透明材料制成的扩展电极，在永久衬底的上面、永久衬底通过第一金属键合层和第二金属键合层同外延发光层相连接，在第二金属键合层和外延发光层之间还设有镜面反射层和介质膜层，扩展电极包覆整个粗化层和N‑GaAs欧姆接触层，并同N‑GaAs欧姆接触层上的图形形成电学接触，在扩展电极上设有主电极。