| 发明名称 | 一种GaN基功率二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体功率电子器件技术领域，具体公开了一种GaN基功率二极管及其制备方法。该GaN基功率二极管包括：GaN衬底，具有第一掺杂浓度；GaN外延层，位于所述GaN衬底上，具有第二掺杂浓度，其中，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；第一金属结构，以预定间隔分布于所述GaN外延层上或所述GaN外延层中；以及，第二金属结构，形成于所述第一金属结构以及所述GaN外延层上，其中，所述第一金属结构与所述GaN外延层形成高势垒肖特基接触，所述第二金属结构与所述GaN外延层形成低势垒肖特基接触。根据本发明，可以在免除对GaN材料进行P型掺杂的同时，具有良好的可靠性和较高的反向击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105895708A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610360509.6 | 申请日期 | 2016.05.28 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 陈琳;戴亚伟;郑亮;孙清清;张卫 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;陆尤 |
| 主权项 | 一种GaN基功率二极管，其特征在于，包括：GaN衬底，具有第一掺杂浓度；GaN外延层，位于所述GaN衬底上，具有第二掺杂浓度，其中，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；第一金属结构，以预定间隔分布于所述GaN外延层上或所述GaN外延层中；以及，第二金属结构，形成于所述第一金属结构以及所述GaN外延层上；其中，所述第一金属结构与所述GaN外延层形成高势垒肖特基接触，所述第二金属结构与所述GaN外延层形成低势垒肖特基接触。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||