发明名称 一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法
摘要 本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路,包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2,第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接,第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接;还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2,第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的栅极互相连接;第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout,第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极互相连接且接地;本发明还涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路的实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
申请公布号 CN105897254A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610325873.9 申请日期 2016.05.17
申请人 福州大学 发明人 魏榕山;李睿;王珏
分类号 H03K19/21(2006.01)I 主分类号 H03K19/21(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路,其特征在于:包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2,所述第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接,所述第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接;还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2,第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极、第一NMOS管N1的栅极与第二NMOS管N2的栅极互相连接;第一PMOS管P1的漏极、第二PMOS管P2的漏极、第一NMOS管N1的漏极与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout,所述第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极互相连接且接地。
地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
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