SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

摘要

Die Erfindung schlägt eine Halbleiteranordnung mit einem Substrat vor, das wenigstens ein darin integriertes Bauelement aufweist und auf dessen erster Hauptseite eine Metallisierung vorgesehen ist. Zumindest Teile der Metallisierung sind mit einer in dem Substrat gelegenen Isolationsschicht unterlegt. Dadurch, dass die Isolationsschicht in Form eines Trench-Gitters realisiert ist, können parasitäre Kapazitäten und unerwünschte Signalleistungsverluste bei hochfrequenten Signalen reduziert werden.