发明名称 原子层沉积系统
摘要 本发明涉及原子层沉积技术领域,具体涉及一种原子层沉积系统。所述原子层沉积系统,包括:一真空腔室;一衬底,设置在所述真空腔室内;一加热盘,设置在所述衬底的下方,用于加热所述真空腔室和所述衬底;一导电盘,所述导电盘与所述加热盘在所述真空腔室内部形成电场,使进入所述真空腔室的前驱体分子带电。本发明在原子层沉积系统中引入了电场,使通入真空腔室的前驱体分子带电,并在所形成的电场作用下向衬底作定向运动,大大增加了前驱体的动能,使更多的前驱体能与衬底材料之间发生化学吸附和反应,提高原子层沉积系统的效能。
申请公布号 CN104032280B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201310070829.4 申请日期 2013.03.06
申请人 夏洋 发明人 夏洋;万军
分类号 C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 原子层沉积系统,其特征在于,包括:一真空腔室;一衬底,设置在所述真空腔室内;一加热盘,设置在所述衬底的下方,用于加热所述真空腔室和所述衬底;一导电盘,所述导电盘与所述加热盘在所述真空腔室内部形成电场,使进入所述真空腔室的前驱体分子带电;所述加热盘和所述导电盘分别通过电线供电;所述导电盘设置在所述加热盘下方,所述导电盘和所述加热盘之间设有第一绝缘垫,所述导电盘底面设有第二绝缘垫。
地址 100029 北京市朝阳区华严里27号楼4门511号