| 发明名称 | 一种提高纳米银薄膜导电性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高纳米银薄膜导电性的方法，其特征在于：用氩等离子体辐照纳米银薄膜。本发明的方法可以显著提高纳米银薄膜的导电性，甚至可以使原来不导电的纳米银薄膜具有导电性，方法简单、易于实现，进一步拓宽纳米银薄膜的应用范围。 | ||
| 申请公布号 | CN104681208B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201510121535.9 | 申请日期 | 2015.03.18 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 方应;何金俊;洪流;张冰;张康 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人 | 何梅生 |
| 主权项 | 一种提高纳米银薄膜导电性的方法，其特征在于：用氩等离子体辐照纳米银薄膜，具体是按如下步骤进行：将纳米银薄膜放入磁控溅射真空镀膜设备中，并将镀膜室抽至低于6×10<sup>‑4</sup>Pa的真空环境，然后通入高纯氩气，并调节镀膜室真空度至6Pa，以射频功率3w及基体偏压50V的条件，使设备内形成氩等离子体，辐照纳米银薄膜2‑10s。 | ||
| 地址 | 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 | ||