发明名称 |
一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法,该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜,再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中,进行光化学沉积,得到铜铟镓硒薄膜;该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中,可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌,制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控,有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题,且该方法原料利用率高,成本低,可大规模推广生产。 |
申请公布号 |
CN104362222B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410709406.7 |
申请日期 |
2014.11.28 |
申请人 |
中南大学 |
发明人 |
李劼;秦勤;刘芳洋;赖延清;杨佳;赵联波;张坤;王庆龙 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
长沙市融智专利事务所 43114 |
代理人 |
魏娟 |
主权项 |
一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法,其特征在于,先在导电基体上镀一层Se或S薄膜,再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中,进行光化学沉积,得到Cu<sub>a</sub>In<sub>b</sub>Ga<sub>c</sub>Se<sub>d</sub>薄膜,其中,0≤a,0≤b,0≤c,0<d,且a、b、c不同时为0;所述的光电子释放剂为Na<sub>2</sub>SO<sub>3</sub>、Na<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、K<sub>2</sub>SO<sub>3</sub>、K<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Li<sub>2</sub>SO<sub>3</sub>、Li<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的至少一种。 |
地址 |
410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号 |