发明名称 | 一种抗辐照的4T有源像素及制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种抗辐照的4T有源像素及制备方法,包括复位管、电荷传输管、源跟随器、行选开关、钳位光电二极管和浮空扩散节点;其中,钳位二极管的光敏区N区、电荷传输管的沟道、浮空扩散节点与有源区边缘之间设置有隔离区,隔离区相连通并注入P型杂质层。通过将钳位二极管PPD光敏区N区、电荷传输管沟道以及浮空扩散节点FD掺杂区与STI边缘隔离开一定距离,在隔离区域注入新P型杂质层,抑制了4T像素结构中总剂量辐照最敏感的两个节点的暗电流。 | ||
申请公布号 | CN103872064B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
申请号 | CN201410081568.0 | 申请日期 | 2014.03.06 |
申请人 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 发明人 | 曹琛;张冰;吴龙胜;王俊峰 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
主权项 | 一种抗辐照的4T有源像素,其特征在于,包括复位管、电荷传输管、源跟随器、行选开关、钳位光电二极管和浮空扩散节点;其中,钳位二极管的光敏区N区、电荷传输管的沟道、浮空扩散节点与有源区边缘之间设置有隔离区,隔离区相连通并注入P型杂质层。 | ||
地址 | 710068 陕西省西安市太白南路198号 |