一种电子束和双重图案混合光刻工艺版图图案分解方法

摘要

本发明属于集成电路半导体制造技术领域，涉及一种电子束和双重图案光刻工艺中版图图案分解的方法。本发明将同时最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点两划分问题；所述方法包括：根据输入版图文件和冲突距离B，构建含虚拟点的冲突图G；将平面化后的冲突图上删点两划分问题转化为奇数环覆盖问题；用primal-dual方法求解奇数环覆盖问题；后处理剩余冲突边。本方法可行性高，能够在合理的时间内获得优于传统两阶段方法的求解结果，可用于解决大规模版图的图案分解问题。

主权项

一种电子束和双重图案混合光刻工艺版图图案分解方法，其特征在于，其包括步骤：输入参数：版图文件、冲突距离B、电子束面积权重α和缝合边权重β；输出结果：版图图案的电子束和双重图案层分配方案；步骤1：根据输入版图文件和冲突距离B，构建含虚拟点的冲突图G；步骤2：将电子束和双重图案混合光刻工艺版图图案分解问题转化为奇数环覆盖问题；步骤3：用primal‑dual方法求解奇数环覆盖问题；步骤4：将删除的非平面边加回冲突图G，然后删除最小的点集解决剩余冲突边，算法结束。