发明名称 电子部件及其制造方法
摘要 本发明提供一种在晶须长度方面飞跃性地提高了晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。所述电子部件的特征在于,其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件,在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn-Ni合金粒子,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50%以下的范围内,并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn-Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的面时,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15%~60%的范围内。
申请公布号 CN104093888B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201380006391.1 申请日期 2013.01.11
申请人 株式会社村田制作所 发明人 斋藤彰;小川诚;元木章博
分类号 C25D7/00(2006.01)I;C25D5/12(2006.01)I;C25D5/50(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G4/232(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I 主分类号 C25D7/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张玉玲
主权项 一种电子部件,其特征在于,其具有:形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜,在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn-Ni合金粒子,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50%以下的范围内,并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留Sn-Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的面时,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15%~60%的范围内。
地址 日本京都府