局部加热凝固多晶硅除杂装置及除杂方法

摘要

局部加热凝固多晶硅除杂装置，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，所述的炉体上方竖直安装有滑道，与滑道相配有齿条，齿条连接有支架，炉体上方设有电机，电机的输出轴安装有齿轮，齿轮与所述的齿条相啮合，支架上通过固定环连接有竖直设置的运动轴，运动轴的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒。除杂方法如下：向炉体内的坩锅中加入多晶硅料，关闭并抽真空；开始运行程序；温度达到1420‑1480℃后保温；长晶阶段；利用加热碳筒局部加热并随液面上升，直至硅料完全长晶；出炉。提高了出成率，降低了成本。

主权项

一种局部加热凝固多晶硅除杂装置，包括包括炉体（3），在炉体（3）内下部设有石墨底座（4），在石墨底座（4）上配有装入多晶硅料的坩锅（2），在炉体（3）内位于坩锅（2）周边设有与系统控制装置相接的加热体（1），其特征在于：所述的炉体（3）上方竖直安装有滑道，与滑道相配有齿条（12），齿条（12）连接有支架（14），炉体（3）上方设有电机（10），电机（10）的输出轴安装有齿轮（11），齿轮（11）与所述的齿条（12）相啮合，支架（14）上通过固定环（13）连接有竖直设置的运动轴（8），运动轴（8）的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒（7）。