发明名称 基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法
摘要 本发明提供了一种基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法,单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底。平面透镜包括以中心对称分布的平面透镜单元,平面透镜单元的天线在x轴上呈周期分布,在y轴上以y=0为对称中心对称分布。制备方法为:第一步是在二氧化硅基底上覆盖一层银膜,然后在银膜表面上继续用电子束蒸镀覆盖填充层二氧化硅和硅膜;第二步是在硅膜上旋涂光刻胶,然后用电子束曝光技术完成光刻胶的刻蚀和显影;第三步是采用反应离子束刻蚀技术实现对硅膜的刻蚀;第四步是经过剥离过程得到最终的纳米硅天线。该结构可以提高一个数量级的聚焦效率,因此具有很高的实际应用价值。
申请公布号 CN104749665B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201510164384.5 申请日期 2015.04.08
申请人 哈尔滨工业大学深圳研究生院 发明人 肖淑敏;钟建文;宋清海
分类号 G02B3/00(2006.01)I 主分类号 G02B3/00(2006.01)I
代理机构 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人 张立娟
主权项 一种基于介质材料的平面透镜单元,其特征在于:单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底,其中顶层是天线结构,中间一层是二氧化硅填充层,底部是银镜和基底材料,其中天线的宽度尺寸a=210nm至290nm, 天线的长度尺寸b=350nm至390nm,二氧化硅填充层的长度和宽度相等、银镜的长度和宽度相等,二氧化硅基底的长度和宽度相等,并且二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底三者之间的长度相等,二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底三者之间的宽度相等,长度和宽度记为P,周期 P=680±10nm, 天线结构厚度t<sub>1</sub>=400±5nm,二氧化硅填充层厚度t<sub>2</sub>=200±5nm,银层厚度t<sub>3</sub>=150±20nm。
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽镇深圳大学城哈工大校区
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