| 摘要 |
Es wird ein Verfahren (2) zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1) präsentiert. Das Verfahren (2) umfasst ein Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10) mit einer Vorderseite (101); Bilden (21) einer Maske (12) an der Vorderseite (101); Erzeugen (22) zumindest einer Öffnung (121) in der Maske (12), wobei die Öffnung (121) die Vorderseite (101) freilegt; Erzeugen (23), unterhalb der zumindest einen Öffnung (121) zumindest eines Grabens (13), der sich in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei der Graben (13) zumindest eine Seitenwand (137) und einen Grabenboden (136) umfasst; Erzeugen (24), während die Maske (12) an der Vorderseite (101) angeordnet ist, einer Isolierschicht (138), die den Grabenboden (136) und die zumindest eine Seitenwand (137) bedeckt, wobei das Erzeugen (24) der Isolierschicht (138) ein Aufwachsen eines thermischen Oxids am Grabenboden (136) und an der zumindest einen Seitenwand (137) umfasst; Abscheiden (25) einer Abstandhalterschicht (14) auf der Isolierschicht (138), wobei die Abstandhalterschicht (14) ein erstes Elektrodenmaterial umfasst; Entfernen (26) der Abstandhalterschicht (14) von zumindest einem Teil der Isolierschicht (138), der den Grabenboden (136) bedeckt; Füllen (27) zumindest eines Teils des Grabens (13) mit einem Isoliermaterial; Entfernen (28) nur eines Teils des Isoliermaterials, der seitlich durch die Abstandhalterschicht (14) begrenzt ist, so dass ein Isolierblock (4) im Graben (13) entsteht; und Füllen (29) zumindest eines Teil des Grabens (13) mit einem zweiten Elektrodenmaterial, so dass eine Elektrode (130-2) im Graben (13) gebildet wird. |
