一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及液晶显示装置的制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法，用于解决现有基于ADS结构的TFT‑LCD制作工艺复杂且效率低的问题。本发明实施例阵列基板的每个像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与该漏电极搭接的像素电极，其中像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于漏电极、源电极及像素电极上的有源层；位于有源层上的栅绝缘层；以及位于栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。本发明实施例采用三次构图工艺即可制备而成阵列基板，简化了制造工艺，提高了制造效率，且降低了制造成本。

主权项

一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括：位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；位于所述有源层上的栅绝缘层，其中，所述有源层采用金属氧化物半导体材料，且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性；以及位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构，其中，所述栅极在与所述栅绝缘层接触的表面有凸起结构，且所述凸起结构与所述有源层在所述源电极和漏电极之间形成的凹陷结构相适配。