| 发明名称 | 集成电路和形成集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路和形成集成电路的方法。一种集成电路包括基元件和基元件上的铜元件，铜元件具有至少5 μm的厚度以及小于0.7的平均晶粒尺寸与厚度的比。 | ||
| 申请公布号 | CN103165574B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201210521549.6 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | T.德策尔;J.格罗斯;R.伊林;M.克鲁格;S.兰策施托费尔;M.内尔海贝尔;W.罗布尔;M.罗加利;S.韦勒特 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;卢江 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：基元件；以及所述基元件上的铜元件，所述铜元件具有至少5 μm的厚度以及小于0.7的平均晶粒尺寸与厚度的比，其中，所述铜元件的晶粒尺寸分布的最常见的值大于2 μm且小于5 μm。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||