| 摘要 |
본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 실리콘이 도핑된 n형 콘택층; p형 콘택층; n형 콘택층과 p형 콘택층 사이에 개재된 활성 영역; n형 콘택층과 활성 영역 사이에 개재된 초격자층; 초격자층과 n형 콘택층 사이에 개재된 언도프트 중간층; 및 언도프트층과 초격자층 사이에 개재된 전자 보강층을 포함한다. 초격자층은 활성 영역에 가장 가까운 마지막 층에만 의도적으로 실리콘이 도핑되며, 마지막 층의 실리콘 도핑 농도는 n형 콘택층의 실리콘 도핑 농도보다 높다. 활성 영역에 가깝게 위치하는 초격자층의 거의 모든 층에 실리콘을 의도적으로 도핑하지 않기 때문에 누설 전류를 감소시킬 수 있으며, 활성 영역에 가장 가까운 마지막층에 고농도의 실리콘을 도핑함으로써 접합(junction) 특성이 나빠지는 것을 방지하여 정전 방전 특성을 개선할 수 있다. |
