| 发明名称 | 穿硅通孔及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种穿硅通孔结构，包含有一半导体基材；一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层；一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内；一钨金属膜，盖住该导电层的一上表面；一第二金属层间介电层，覆盖该上盖层以及该钨金属膜；以及一内连件，设于该第二金属层间介电层中。 | ||
| 申请公布号 | CN103489840B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201210323190.1 | 申请日期 | 2012.09.04 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄琦雯;苏国辉 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种穿硅通孔结构，其特征在于，包括：一半导体基材；一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；一钨插塞，埋设在该第一金属层间介电层中；一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层且覆盖该钨插塞；一穿硅通孔包含:一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内，其中该上盖层的一上表面高于该导电层的一上表面；以及一钨金属膜，完全地盖住该导电层的该上表面；一第二金属层间介电层，覆盖该上盖层以及该钨金属膜；一第一内连件，贯穿该第二金属层间介电层且电连接该穿硅通孔；以及一第二内连件，贯穿该第二金属层间介电层及该上盖层且电连接该钨插塞。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||