一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法

摘要

本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。

主权项

一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空至真空度为0.1‑10Pa；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使氢气和甲烷气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；在硅片上引入了钼；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。