| 发明名称 | 一种深亚微米U型栅槽的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀；以及去胶形成U型栅槽。利用本发明，能够得到栅角圆滑的U型栅槽，有效降低了器件源漏间，尤其是栅漏间的峰值电场，提高了器件的击穿电压，减少了器件漏电，提高了器件效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103715077B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201410005105.6 | 申请日期 | 2014.01.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘果果;魏珂;孔欣;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀；以及去胶形成U型栅槽；其中，所述对电子束光刻胶进行回流烘胶的步骤中，是对ZEP520电子束光刻胶进行150℃热板真空回流烘胶10分钟；所述采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀的步骤中，刻蚀气体采用SF<sub>6</sub>和CHF<sub>3</sub>的混合气体，比例为SF<sub>6</sub>:CHF<sub>3</sub>＝3:40，刻蚀压力为3.5Pa，射频功率为20W，直流功率为250W，刻蚀时间为180秒。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||