一种阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板制作曝光次数多、工序复杂、成本高的问题。一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，其中，所述在衬底基板上形成栅绝缘层、有源层和源漏金属层包括：在衬底基板上形成栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜；利用一次构图工艺形成的所述栅绝缘层、有源层以及源漏金属层。

主权项

一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅绝缘层、有源层和源漏金属层包括：在衬底基板上形成栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜；在制作有栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜的基板上，涂布光刻胶；利用多色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光和显影，显影后形成光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分以及光刻胶第三保留部分；其中，光刻胶第一保留部分的光刻胶为完全保留，光刻胶第二保留部分和光刻胶第三保留部分的光刻胶为部分保留，且光刻胶第二保留部分的厚度小于光刻胶第一保留部分的光刻胶的厚度，光刻胶第三保留部分的厚度小于光刻胶第二保留部分的厚度；所述光刻胶第一保留部分至少对应源极和漏极区域，所述光刻胶第二保留部分对应待形成的沟道区域；所述光刻胶第三保留部分至少对应像素电极区域；连接区过孔位置处的光刻胶完全去除；至少刻蚀位于光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘薄膜的部分；对所述光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分以及光刻胶第三保留部分进行灰化处理，去除光刻胶第三保留部分；至少刻蚀位于光刻胶第三保留部分的源漏金属薄膜；对所述光刻胶第一保留部分和光刻胶第二保留部分进行灰化处理，去除光刻胶第二保留部分；至少刻蚀位于光刻胶第二保留部分的源漏金属薄膜；将剩下的光刻胶剥离。