发明名称 一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法
摘要 本发明属于冶金提纯技术领域,特别涉及一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法。该方法首先对工业硅和原铝进行清洗预处理,然后在氩气保护下使原铝完全熔化,之后向熔融的铝液中加入工业硅,升温至1100‑1200℃进行合金化熔炼,完全熔化后加入金属或金属氧化物,保温之后缓慢冷却,硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部,将坩埚上部铝硅熔体倾倒并贮存,最后对初晶硅进行无机酸处理,去除残余金属及硼化物,之后进行烘干处理,即可得到硼含量低的多晶硅。本发明在Si‑Al合金提纯的基础上加入Fe、Ti、TiO<sub>2</sub>等微量金属或金属氧化物,从而达到去除硅中硼杂质,使硼含量达到满足太阳能级硅的要求,实用性强,工业生产周期短,节能降耗环保,技术稳定,生产效率高。
申请公布号 CN102786060B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201210289994.4 申请日期 2012.08.15
申请人 大连理工大学 发明人 谭毅;李佳艳;李亚琼;贾鹏军
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 大连星海专利事务所 21208 代理人 徐淑东
主权项 一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法,其特征是:首先对杂质硼含量高的工业硅和原铝进行清洗预处理,然后将原铝放入感应炉中,在氩气保护700‑800℃下使原铝完全熔化,之后向熔融的铝液中加入工业硅,升温至1100‑1200℃进行合金化熔炼,完全熔化后加入金属或金属氧化物,保温2‑4h,之后以1~3℃/min的速率缓慢冷却至580~620℃,硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部,坩埚上部为铝硅熔体,将铝硅熔体倾倒并贮存,最后对初晶硅进行无机酸处理,去除残余金属及硼化物,之后进行烘干处理,即可得到硼含量低的多晶硅。
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