薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置

摘要

一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0<a≤37/60，3a/7‑3/14≤b≤91a/74‑17/40，b>0，0<c≤3/5，a+b+c＝1，d>0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>O，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，经由氧化物半导体层可以导通。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；栅极绝缘膜，其与所述栅极电极相接触；氧化物半导体层，包括第1区域和第2区域，且经由所述栅极绝缘膜而与所述栅极电极对向配置，所述第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)表示，其中0＜a≤37/60，3a/7‑3/14≤b≤91a/74‑17/40，其中b＞0，0＜c≤3/5，a+b+c＝1，d＞0，所述第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)表示，且与所述第1区域相比位于相对于所述栅极电极较远的位置，其中q/(p+q)＞0.250，p＞0，q＞0，r＞0，s＞0；以及源极电极和漏极电极，彼此分离配置，且经由所述氧化物半导体层可以导通，其中所述薄膜晶体管的场效迁移率为20cm²/Vs以上。