发明名称 基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置
摘要 基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置,涉及一种仿真方法及装置。为了解决采用目前的真空灭弧室内部温度场的仿真方法,在建立模型后,若连续更改仿真模型参数则延长了灭弧室的设计周期的问题。它通过VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件进行功能拓展,建立了用于真空灭弧室内部温度场的仿真分析的虚拟样机,将仿真模型直接导入虚拟样机中,进行灭弧室内部温度场的仿真计算,并且根据仿真结果分析真空灭弧室的导电桥的半径和高度对灭弧室内部温度场的影响,从而确定真空灭弧室的最优结构设置参数。它用于仿真真空灭弧室。
申请公布号 CN103605855B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201310611486.8 申请日期 2013.11.26
申请人 国家电网公司;黑龙江省电力科学研究院;国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 发明人 孙巍;刘洋;郭江涛;兰公煜;张洪达;左秀江
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 岳泉清
主权项 基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法,其特征在于,它包括如下步骤:用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的步骤;所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型、真空灭弧室屏蔽罩模型、母排模型、散热器模型、套接模型和导电桥模型;所述导电桥模型为用于模拟触头之间的电流收缩与焦耳发热的模型;用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的步骤;用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中,进行真空灭弧室内部温度场的仿真计算,得到真空灭弧室内部温度场的仿真分布结果的步骤;用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室的导电桥的半径和高度,结合获得的相应的真空灭弧室内部温度场,确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的步骤。
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