缓变深槽超结MOSFET器件

摘要

本实用新型提供一种缓变深槽超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括N+型衬底，N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极；N+型衬底上生长有N‑型外延层；所述N‑型外延层为缓变N‑型外延层，电阻率自上而下逐渐缓变增大；在元胞的N‑型外延层两侧顶部形成有P型体区；在元胞的N‑型外延层两侧自P型体区向下形成有P型柱深槽结构；N‑型外延层的顶部生长有栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅形成MOSFET器件的栅极；在P型体区内形成有N+型源区和用于接触的P+型接触区。P型柱深槽结构的宽度自上而下逐渐变窄，但掺杂均匀，形成缓变的P型柱深槽结构。本实用新型的结构可降低工艺难度，更容易实现电荷平衡，提高器件耐压。

主权项

一种缓变深槽超结MOSFET器件，包括至少一个元胞，所述元胞包括N+型衬底(1)，N+型衬底(1)背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极；其特征在于：N+型衬底(1)上生长有N‑型外延层(2)；所述N‑型外延层(2)为缓变掺杂N‑型外延层，电阻率自上而下逐渐缓变增大；在元胞的N‑型外延层(2)两侧顶部形成有P型体区(6)；在元胞的N‑型外延层(2)两侧自P型体区(6)向下形成有P型柱深槽结构(3)；N‑型外延层(2)的顶部生长有栅氧层(4)，在栅氧层(4)上形成MOSFET器件的栅极(5)；在P型体区(6)顶部形成有N+型源区(7)；P型体区(6)顶部还形成有用于接触的P+型接触区；源极金属(8)淀积在N‑型外延层(2)顶部，与P型体区(6)内的N+型源区(7)和P+型接触区连接，形成MOSFET器件的源极；源极金属(8)与栅极(5)之间有介质层(9)隔离。