| 发明名称 | 一种高压晶体管制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高压晶体管制备工艺，其特征在于，包括：步骤一：在有源区定义之前，进行高压阱注入以及轻掺杂的源漏注入形成漂移区；步骤二：完成有源区的定义，生长高压栅氧和覆盖于所述高压栅氧上表面的多晶硅，形成多晶硅栅极；步骤三：制备二氧化硅层覆盖所述栅极和所述有源区的表面；步骤四：刻蚀所述二氧化硅层，在栅极边缘形成厚侧壁隔离介质，所述厚侧墙隔离介质的宽度与所述多晶硅的厚度相同；步骤五：进行源漏重掺杂注入。使用本发明一种高压晶体管制备工艺，通过利用轻掺杂漂移区及宽侧墙工艺隔离的方法以达到提高高压器件击穿电压，同时，本发明的器件结构则摒去额外的STI隔离工艺，有效地减小器件面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103871898B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201410060105.6 | 申请日期 | 2014.02.21 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 黄奕仙;杨斌 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种高压晶体管制备工艺，其特征在于，包括：步骤一：在有源区定义之前，进行高压阱注入以及轻掺杂的源漏注入形成漂移区；步骤二：完成有源区的定义，生长高压栅氧和覆盖于所述高压栅氧上表面的多晶硅，形成多晶硅栅极；步骤三：制备二氧化硅层覆盖所述栅极和所述有源区的表面；步骤四：刻蚀所述二氧化硅层，在栅极边缘形成厚侧壁隔离介质，所述厚侧墙隔离介质的宽度与所述多晶硅的厚度相同；步骤五：进行源漏重掺杂注入；其中，轻掺杂的漂移区的宽度通过阱推入及宽侧墙的介质隔离，与源区的宽度差在0.4um至0.5um/边以上。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||