晶硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其制作方法。该晶硅太阳能电池包括硅基片和设置在硅基片背面的氮化硅膜结构，氮化硅膜结构包括至少两层氮化硅膜，且至少两层氮化硅膜的折射率沿远离硅基片的方向依次减小。氮化硅膜的折射率沿远离硅基片的方向减小，使得相邻氮化硅膜的折射率不同，那么未被硅基片吸收的光线在通过相邻氮化硅膜的界面时便会发生折射或反射，进而重新返回硅基片而被硅基片吸收，避免了光线直接穿过氮化硅膜而损失；同时本领域技术人员可以控制不同氮化硅膜的折射率在合理的范围，避免过多的高折射率的氮化硅膜存在对光产生过多的吸收。

主权项

一种晶硅太阳能电池，所述晶硅太阳能电池包括硅基片(1)和设置在所述硅基片(1)背面的氮化硅膜结构(2)，其特征在于，所述氮化硅膜结构(2)包括至少两层氮化硅膜，且所述至少两层氮化硅膜的折射率沿远离所述硅基片(1)的方向依次减小；所述氮化硅膜结构(2)包括依次远离所述硅基片(1)的第一氮化硅膜(21)、第二氮化硅膜(22)、第三氮化硅膜(23)和第四氮化硅膜(24)，所述第一氮化硅膜(21)的折射率为n₁，所述第二氮化硅膜(22)的折射率为n₂，所述第三氮化硅膜(23)的折射率为n₃，所述第四氮化硅膜(24)的折射率为n₄，且n₁＞n₂＞n₃＞n₄；所述第一氮化硅膜(21)的折射率n₁为2.29～2.33，所述第二氮化硅膜(22)的折射率n₂为2.09～2.20，所述第三氮化硅膜(23)的折射率n₃为1.98～2.02，所述第四氮化硅膜(24)的折射率n₄为1.92～1.98。