发明名称 电阻式随机存取存储器
摘要 本发明提供一种电阻式随机存取存储器,包括多条字线、位线、源极线以及一存储阵列。存储阵列,具有多个存储单元,设置在所述字线与所述位线的交界处,以形成一矩阵。每一存储单元包括一电阻式存储装置与一开关。每一条源极线被配置在两条字线之间,其中每一条源极线耦接到所述开关的多个源极端,且单独被一源极线驱动器所驱动。源极线驱动器接收命令信号与地址信号,将源极线的电压电平改变为第一电压电平。当重置操作被施加到一存储单元时,源极线的电压电平被设定为第一电压电平,且当另一个操作被施加被选择的该存储单元时,该源极线被接地。本发明可以通过施加不同的操作电压来切换存储器的多种逻辑状态,从而进行数据存储。
申请公布号 CN105869670A 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201510024293.1 申请日期 2015.01.19
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 崔明灿
分类号 G11C13/00(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 汤在彦
主权项 一种存储器,其特征在于,包括:多条字线;多条位线;一存储阵列,具有多个存储单元,设置在所述字线与所述位线的交界处,以形成具有多行与多列的一矩阵,其中每一存储单元包括一电阻式存储装置与一开关;以及多条源极线,每一条源极线被配置在两条字线之间,其中每一条源极线耦接到所述开关的多个源极端,每一条源极线都被一源极线驱动器所驱动,该源极线驱动器接收一命令信号与一地址信号,并根据该命令信号与该地址信号将该源极线的一电压电平设定为一第一电压电平;其中当一重置操作被施加到被选择的一存储单元时,该源极线的该电压电平被设定为该第一电压电平,且当另一个操作被施加被选择的该存储单元时,该源极线被接地。
地址 中国台湾台中市