发明名称 |
半导体器件、显示器件、和电子器件 |
摘要 |
提供一种半导体器件,包括:第一晶体管;第二晶体管,配置成进行二极管操作;以及第三晶体管;第一晶体管的源极或漏极直接连接至第三晶体管的栅极,第一晶体管是N沟道型晶体管,在第二晶体管是N沟道型晶体管时,第二晶体管的源极和漏极其中之一及栅极直接连接至第三晶体管的栅极,而第二晶体管的源极和漏极中的另一个直接连接至第一晶体管的栅极;在第二晶体管是P沟道型晶体管时,第二晶体管的源极和漏极其中之一以及栅极直接连接到所述第一晶体管的所述栅极,并且第二晶体管的源极和漏极中的另一个直接连接到第三晶体管的栅极。 |
申请公布号 |
CN102509560B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201110374123.8 |
申请日期 |
2006.12.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
吉田泰则 |
分类号 |
G11C19/28(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I |
主分类号 |
G11C19/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张金金;王忠忠 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:第一晶体管;第二晶体管,配置成进行二极管操作;以及第三晶体管;其中所述第一晶体管的源极或漏极直接连接至所述第三晶体管的栅极,其中所述第一晶体管是N沟道型晶体管,其中在所述第二晶体管是N沟道型晶体管时,所述第二晶体管包括栅极、源极和漏极,所述源极和所述漏极其中之一以及所述栅极直接连接至所述第三晶体管的所述栅极,并且所述源极和所述漏极中的另一个直接连接至所述第一晶体管的栅极,并且其中在所述第二晶体管是P沟道型晶体管时,所述第二晶体管包括栅极、源极和漏极,所述源极和所述漏极其中之一以及所述栅极直接连接到所述第一晶体管的所述栅极,并且所述源极和所述漏极中的另一个直接连接到所述第三晶体管的所述栅极。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |