| 发明名称 | 自对准的栅极分离方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种自对准的栅极分离方法，其包括：在鳍式场效晶体管的鳍顶端设置一保护层，并在所述保护层上表面设置一牺牲层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层上表面形成一第一光阻层，并对栅极层中另一栅极进行刻蚀处理；刻蚀掉栅极层中所述一栅极对应的栅极层上表面形成一第一光阻层，并在栅极层上表面形成一第二光阻层；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中所述一栅极之上的第二光阻层和部分栅极层，并停止于对应位置处的保护层，使所述栅极层中所述一栅极高度降低并裸露；以及去除所述栅极层之上的剩余的第二光阻层。本发明可以准确的控制刻蚀的准确度，避免对结构的损伤，从而可以降低自对准的难度。 | ||
| 申请公布号 | CN103943484B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201410174764.2 | 申请日期 | 2014.04.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 鲍宇;周军;朱亚丹;曾真;钟斌;贺忻 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种自对准的栅极分离方法，其特征在于，包括：在鳍式场效晶体管的鳍顶端设置一保护层，并在所述保护层上表面设置一牺牲层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层上表面形成一第一光阻层，并对栅极层中另一栅极进行刻蚀处理；刻蚀掉栅极层中所述一栅极对应的栅极层上表面形成一第一光阻层，并在栅极层上表面形成一第二光阻层；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中所述一栅极之上的第二光阻层和部分栅极层，并停止于对应位置处的保护层，使所述栅极层中所述一栅极高度降低并裸露；去除所述栅极层之上的剩余的第二光阻层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||