发明名称 导电结构和制造该导电结构的方法
摘要 本发明涉及一种包括基板、导电层和暗化层的导电结构体,以及制造该导电结构体的方法。所述导电结构体可以在不影响导电层的导电率的情况下,防止导电层造成的反射,通过提高吸光率而改善导电层的隐藏性。因此,所述导电结构体可以用于开发具有更高可见性的显示面板。
申请公布号 CN104584143B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201380044015.1 申请日期 2013.08.30
申请人 LG化学株式会社 发明人 林振炯;金秀珍;金起焕
分类号 H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 朱梅;徐琳
主权项 一种导电结构体,包括:基板;导电层;以及暗化层,其对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2:[等式1]<img file="FDA0000987165990000011.GIF" wi="1790" he="169" />[等式2]<maths num="0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>d</mi><mo>=</mo><mfrac><mi>&lambda;</mi><mrow><mn>4</mn><mi>n</mi></mrow></mfrac><mi>N</mi><mo>,</mo><mrow><mo>(</mo><mi>N</mi><mo>=</mo><mn>1</mn><mo>,</mo><mn>3</mn><mo>,</mo><mn>5</mn><mo>,</mo><mo>...</mo><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000987165990000012.GIF" wi="859" he="175" /></maths>其中,|R|为降低导电结构体可视性的参数,n为折射率,k为消光系数并且k为0.2以上且2.5以下,R<sub>金属</sub>为所述导电层的反射率,d为所述暗化层的厚度并且d为20nm至150nm,以及λ为光波长。
地址 韩国首尔