半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。

主权项

一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，所述活性层具备第一导电型阱区、第二导电型阱区、第一导电型漂移区和表面部第二导电型层，所述第一导电型漂移区将所述第一导电型阱区和所述第二导电型阱区之间隔开，所述第一导电型阱区和所述第二导电型阱区以从两侧夹持所述第一导电型漂移区的方式被配置成，与所述第一导电型漂移区相接，所述表面部第二导电型层被形成于所述第一导电型阱区与所述第二导电型阱区之间的所述活性层的表面部的一部分上，所述表面部第二导电型层在所述第二导电型阱区侧以在俯视观察时交替配置的方式具备第一部分和第二部分，其中，所述第一部分与所述第二导电型阱区相接，所述第二部分为，通过使所述第一导电型漂移区的与所述第二导电型阱区相接的区域位于所述第二部分与所述第二导电型阱区之间，从而从所述第二导电型阱区分离的部分，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述半导体装置具备栅绝缘膜和栅电极，所述栅绝缘膜在所述活性层的表面的一部分区域上，与所述第二导电型阱区、所述第一导电型漂移区、所述表面部第二导电型层相接，所述栅电极隔着所述栅绝缘膜而与所述第二导电型阱区对置。