| 发明名称 | 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105869979A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510461468.5 | 申请日期 | 2015.07.30 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 松井俊;盛满和广;丰田一行 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于所述处理室内，并载置所述衬底；加热所述衬底的加热部；气体整流部，向所述衬底供给处理气体；密封部，设置于所述气体整流部；隔热部，设置于所述密封部与所述气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与所述隔热部连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||