一种非易失性随机存储器及其操作方法

摘要

本发明提供一种非易失性随机存储器件（100），其包括由若干存储单元块（111）构成的存储单元阵列（110）以及和所述存储单元阵列（110）相连接的外围电路；所述外围电路包括用于根据地址输入信息选中相应存储单元块的地址译码电路（120）、存储所有存储单元块的操作模式信息并在控制信号（160）作用下重新写入的块操作模式信息寄存器（130）、根据块操作模式信息寄存器（130）中存储的操作模式信息输出某一写操作模式到存储单元阵列的写驱动电路（140）以及根据块操作模式信息寄存器（130）中存储的操作模式信息输出某一读操作模式到存储单元阵列的读出电路（150）。本发明兼容两种不同操作模式的相变存储器简化接口设计，节约设计面积，减少功耗，提高速度。

主权项

一种非易失性随机存储器的操作方法，其特征在于：该存储器包括由若干存储单元块(111)构成的存储单元阵列(110)以及和所述存储单元阵列(110)相连接的外围电路；所述外围电路包括用于根据地址输入信息选中相应存储单元块的地址译码电路(120)、存储所有存储单元块的操作模式信息并在控制信号(160)作用下重新写入的块操作模式信息寄存器(130)、根据块操作模式信息寄存器(130)中存储的操作模式信息输出至少两种不同写操作模式中的某一写操作模式到存储单元阵列的写驱动电路(140)以及根据块操作模式信息寄存器(130)中存储的操作模式信息输出至少两种不同读操作模式中的某一读操作模式到存储单元阵列的读出电路(150)；所述至少两种不同的写操作模式为用较短脉冲宽度的Set脉冲信号对相变存储单元进行操作以及采用较长的脉冲宽度的Set脉冲信号对相变存储单元进行操作；上述的两种写操作模式，利用不同的高低阻之间的差异匹配相应的读操作模式，写操作模式与读操作模式的相互匹配构成了相变存储器的两种不同的操作模式；该方法包括以下步骤：写操作过程为：地址译码电路(120)选中相应地址的存储单元块(111)，同时，写驱动电路(140)根据被选中的存储单元块的操作模式，输出相应的写操作模式到被选中存储单元块中，完成对一个存储单元块的写操作；读操作过程为：同样的由地址译码电路(120)选中相应地址的存储单元块(111)，同一时间读出电路(150)根据被选中的存储单元块的操作模式，输出相应的读操作模式到被选中存储单元块中，读出相应的数据。