发明名称 |
LED发光组件的制造方法 |
摘要 |
一种LED发光组件的制造方法,包括如下步骤:(A)提供一具有凹槽的导热基板及一LED芯片;(B)在该导热基板凹槽的肩部形成一电极电路层;(C)于该导热基板凹槽的底部与该LED芯片一侧面分别镀上一金属层;(D)藉由共晶结合技术,使该LED芯片的金属层与导热基板凹槽底部的金属层形成一共晶层;(E)从LED芯片引出电极,将该电极与该电极电路层导电连接;及(F)对LED芯片进行封装。 |
申请公布号 |
CN102339929A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201010239135.5 |
申请日期 |
2010.07.29 |
申请人 |
富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
发明人 |
赖志铭;吕英杰 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种LED发光组件的制造方法,包括如下步骤:(A)提供一具有凹槽的导热基板及一LED芯片;(B)在该导热基板凹槽的肩部形成一电极电路层;(C)于该导热基板凹槽的底部与该LED芯片一侧面分别镀上一金属层;(D)藉由共晶结合技术,使该LED芯片的金属层与导热基板凹槽底部的金属层形成一共晶层;(E)从LED芯片引出电极,将该电极与该电极电路层导电连接;及(F)对LED芯片进行封装。 |
地址 |
201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号 |