发明名称 LED发光组件的制造方法
摘要 一种LED发光组件的制造方法,包括如下步骤:(A)提供一具有凹槽的导热基板及一LED芯片;(B)在该导热基板凹槽的肩部形成一电极电路层;(C)于该导热基板凹槽的底部与该LED芯片一侧面分别镀上一金属层;(D)藉由共晶结合技术,使该LED芯片的金属层与导热基板凹槽底部的金属层形成一共晶层;(E)从LED芯片引出电极,将该电极与该电极电路层导电连接;及(F)对LED芯片进行封装。
申请公布号 CN102339929A 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201010239135.5 申请日期 2010.07.29
申请人 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 发明人 赖志铭;吕英杰
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种LED发光组件的制造方法,包括如下步骤:(A)提供一具有凹槽的导热基板及一LED芯片;(B)在该导热基板凹槽的肩部形成一电极电路层;(C)于该导热基板凹槽的底部与该LED芯片一侧面分别镀上一金属层;(D)藉由共晶结合技术,使该LED芯片的金属层与导热基板凹槽底部的金属层形成一共晶层;(E)从LED芯片引出电极,将该电极与该电极电路层导电连接;及(F)对LED芯片进行封装。
地址 201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号