发明名称 |
焊垫结构及制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种焊垫结构及其制作方法,焊垫结构中的焊垫金属层与顶层金属层之间设有两层阻挡层,并使位于第一窗口侧壁上的第一阻挡层的厚度大于其他位置处的第一阻挡层的厚度,可以有效地避免在第一窗口拐角处的阻挡层的厚度较薄的现象,同时,即使顶层金属层所露出部分的表面有凹凸不平,第一阻挡层会将这些凹凸不平的点填平,使得在第一阻挡层上形成的第二阻挡层位于一个比较平整的平面上。两层阻挡层的结构设计,可以大大减小阻挡层破裂的风险,进而阻止了顶层金属层中的金属向焊垫金属层中的扩散。 |
申请公布号 |
CN105870090A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201510028304.3 |
申请日期 |
2015.01.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
刘文晓 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种焊垫结构,其特征在于,所述焊垫结构包括:位于芯片顶部的介电层及包埋在所述介电层中的顶层金属层,所述介电层的上表面与所述顶层金属层的上表面平齐;位于所述介电层及所述顶层金属层上的第一钝化层,所述第一钝化层中设有暴露部分所述顶层金属层的第一窗口;位于所述第一窗口底部、侧壁和所述第一窗口两侧部分所述第一钝化层上的第一阻挡层;位于所述第一阻挡层上的第二阻挡层;位于所述第二阻挡层上的焊垫金属层;位于所述第一钝化层和所述焊垫金属层上的第二钝化层,所述第二钝化层包裹所述第一阻挡层、第二阻挡层和焊垫金属层;所述第二钝化层中设有暴露部分所述焊垫金属层的第二窗口。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |