发明名称 倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法
摘要 本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法,包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极;所述蓝光量子点发光层的厚度为15nm~30nm;所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm~2.5nm。这种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件,采用蓝光能量传递层作为发光激子形成的辅助层,使得蓝光发光激子除了直接注入的方式形成外,还可通过能量传递的方式形成,蓝光发光激子在蓝光能量传递层形成后通过能量传递的方式再到达蓝光量子点发光层上使其发光,从而解决了倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。
申请公布号 CN105870272A 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201610213098.8 申请日期 2016.04.07
申请人 上海大学 发明人 曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健
分类号 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I 主分类号 H01L33/04(2010.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 生启
主权项 一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极;所述蓝光量子点发光层的材料为蓝光量子点,所述蓝光量子点发光层的厚度为15nm~30nm;所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料,所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm~2.5nm。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号