一种碳化硅外延生长系统及其生长方法

摘要

本发明提供一种碳化硅外延生长系统及其生长方法。本发明提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本发明提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。

主权项

一种碳化硅外延生长系统，包括反应腔体(1)及与其连接的尾气处理系统，其特征在于，与所述反应腔体(1)连接的源气控制供应系统包括慢速生长单元、快速生长单元、N型掺杂单元、P型掺杂单元、单层外延生长单元、多层外延生长单元、薄膜外延层生长单元、厚膜外延层生长单元和选择性刻蚀单元。