锗硅HBT器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT，在有源区周侧的浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，第二浅沟槽位于第一浅沟槽的底部、且第二浅沟槽的宽度小于第一浅沟槽的宽度，在第二浅沟槽的底部和侧部的硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层；赝埋层和集电区在第二浅沟槽的底部和侧部相接触并作为集电极连接层；在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触，深孔接触和赝埋层接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅HBT的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高锗硅HBT的截止频率。

主权项

一种锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成硬掩模层，采用光刻刻蚀工艺对所述硬掩模层进行刻蚀形成浅沟槽和有源区的图形，其中所述有源区上被所述硬掩模层保护，所述浅沟槽上的所述硬掩模层被去除；以所述硬掩模层为掩模对所述硅衬底进行刻蚀形成第一浅沟槽；步骤二、在刻蚀形成所述第一浅沟槽后的所述硅衬底上淀积氧化膜，并对所述氧化膜进行刻蚀，将位于所述浅沟槽底部的所述氧化膜去除，在所述浅沟槽的侧壁表面形成由所述氧化膜组成的内壁；步骤三、利用所述硬掩模层和所述内壁做掩模，对所述硅衬底的整个表面进行全面刻蚀，将未被保护的所述第一浅沟槽底部的所述硅衬底去除一定厚度形成第二浅沟槽；形成的所述第二浅沟槽的宽度小于所述第一浅沟槽的宽度，由上下相连的所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽组成所述浅沟槽；步骤四、以所述硬掩模层和所述内壁为掩模，进行第一N型离子注入在所述第二浅沟槽的底部和侧部的所述硅衬底中形成第一N型离子注入区；步骤五、湿法去除所述有源区上的所述硬掩模层；步骤六、去除所述内壁，并在所述浅沟槽中填充浅槽场氧；在形成有所述浅槽场氧的所述硅衬底表面淀积一层基区氧化层，刻蚀所述基区氧化层将锗硅HBT器件的所述有源区打开，在所述有源区中进行磷离子注入；进行退火工艺，由所述磷离子注入的磷离子扩散形成集电区，所述第一N型离子注入区的N型杂质扩散形成赝埋层，所述赝埋层作为集电极连接层、且所述赝埋层和所述集电区在所述第二浅沟槽的底部和侧部相接触。