| 发明名称 | 太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103155164B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201180048863.0 | 申请日期 | 2011.11.15 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎;织田明博;佐藤铁也;木泽桂子 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 龚敏 |
| 主权项 | 一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对所述半导体基板的给予所述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少所述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比所述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；以及在所述部分区域上形成电极的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||