半导体器件和半导体器件的制造方法

摘要

第1连接部（210）和第2连接部（220）将第1控制栅极（120）和第2控制栅极（150）连接，且相互分离开。第1控制栅极（120）在第1连接部（210）与最接近第1连接部（210）的源极扩散层（180）之间具有第1断开部（122）。第2控制栅极（150）在第2连接部（220）与最接近第2连接部（220）的源极扩散层（180）之间具有第2断开部（152）。第1字栅极（110）和第2字栅极（140）在与第1断开部（122）和第2断开部（152）重叠的部分处不被断开。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第1字栅极，形成在上述衬底上；第2字栅极，形成在上述衬底上，与上述第1字栅极平行地延伸；第1控制栅极，形成在上述第1字栅极中的与上述第2字栅极相对置的侧面上；第2控制栅极，形成在上述第2字栅极中的与上述第1字栅极相对置的侧面上；第1连接部和第2连接部，形成在上述衬底上，连接上述第1控制栅极和上述第2控制栅极，且相互分离；以及至少一个扩散层，形成在上述衬底中的位于上述第1连接部与上述第2连接部之间的区域上，从上述第1控制栅极朝着上述第2控制栅极延伸，且上述第1控制栅极在上述第1连接部与最接近上述第1连接部的上述扩散层之间具有第1断开部，上述第2控制栅极在上述第2连接部与最接近上述第2连接部的上述扩散层之间具有第2断开部，上述第1字栅极在与上述第1断开部重叠的部分处不被断开，上述第2字栅极在与上述第2断开部重叠的部分处不被断开。